臺積電在美國當地時間22日舉辦的2026年北美技術論壇上，公布了多項先進制程技術的研發進展與量產計劃，涵蓋從尖端邏輯工藝到成熟制程的多個領域。其中，A13與A12兩項尖端工藝成為焦點，前者作為A14的直接光學收縮版本，通過設計規則完全兼容實現6%的面積縮減，同時通過協同優化設計提升能效與性能；后者則基于超級電軌（Super Power Rail）背面供電架構，成為繼A16之后面向AI與高性能計算（HPC）場景的新一代解決方案，兩項技術均計劃于2029年進入量產階段。
在2納米平臺方面，臺積電宣布推出演進版本N2U，該技術通過優化晶體管結構，在保持與前代N2P兼容性的基礎上，實現3-4%的速度提升或8-10%的功耗降低，同時邏輯密度增加2-3%，預計2028年啟動生產。針對車用芯片市場，首款采用全環繞柵極（GAA）技術的N2A制程同步亮相，其性能較今年量產的N3A提升15-20%（相同功耗下），并計劃于2028年通過車規級AEC-Q100認證，為自動駕駛與智能座艙提供更高性能支撐。
成熟制程領域亦有突破。臺積電宣布將高壓技術首次整合至FinFET晶體管架構，推出面向顯示驅動芯片（DDIC）的N16HV制程。該技術通過縮小柵極尺寸，使柵極密度較N28HV提升41%，同時功耗降低35%，有望推動高分辨率顯示設備的能效升級。此次技術更新覆蓋從前沿AI芯片到消費電子的廣泛場景，進一步鞏固臺積電在半導體制造領域的多維競爭力。
