在近期舉辦的“Semicon Korea 2026”半導(dǎo)體展會上，韓美半導(dǎo)體（Hanmi Semiconductor）攜其最新研發(fā)的寬幅熱壓鍵合設(shè)備亮相，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。這款專為下一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM5和HBM6設(shè)計的設(shè)備，被視為填補當(dāng)前技術(shù)空白的重要突破。

據(jù)韓美半導(dǎo)體代表透露，受限于技術(shù)瓶頸，現(xiàn)有HBM量產(chǎn)所需的混合鍵合設(shè)備商業(yè)化進(jìn)程持續(xù)滯后。而此次推出的寬幅熱壓鍵合設(shè)備通過創(chuàng)新設(shè)計，有望解決這一難題。該設(shè)備采用獨特的結(jié)構(gòu)，能夠在HBM芯片面積增大的情況下，同步提升硅通孔（TSV）和I/O接口的數(shù)量，從而優(yōu)化功耗表現(xiàn)。與傳統(tǒng)高堆疊技術(shù)相比，其能耗降低效果顯著。

技術(shù)細(xì)節(jié)方面，這款設(shè)備通過增加連接DRAM芯片的中介層與微凸點數(shù)量，實現(xiàn)了內(nèi)存容量和帶寬的雙重提升。更值得關(guān)注的是，其可選配的“無助焊劑鍵合”功能，通過去除芯片表面氧化層并增強接合強度，使HBM整體厚度進(jìn)一步縮減。這一特性對追求極致集成度的存儲器產(chǎn)品具有重要意義。

行業(yè)分析指出，韓美半導(dǎo)體的這項技術(shù)突破不僅有助于提升HBM產(chǎn)品的生產(chǎn)良率和質(zhì)量穩(wěn)定性，更為HBM5和HBM6的規(guī)?；慨a(chǎn)奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。隨著數(shù)據(jù)中心、人工智能等領(lǐng)域?qū)Ω邘拑?nèi)存需求的持續(xù)增長，該設(shè)備的商業(yè)化應(yīng)用或?qū)⒅厮艽鎯ζ魇袌龅母偁幐窬帧?/p>