國產AI芯片領域迎來重大進展，寒序科技（ICY Tech）與三星生態設計伙伴SEMIFIVE攜手，在先進存儲與存算架構領域實現關鍵突破。基于三星8nm eMRAM工藝，雙方成功完成邊緣AI芯片流片，這是亞洲首個8nm嵌入式MRAM（eMRAM）商業化部署案例，標志著國產芯片在技術自主化道路上邁出重要一步。
作為項目核心技術提供方，寒序科技憑借在MRAM定制開發與存算架構領域的深厚積累，主導了底層核心技術研發。該企業突破三星8nm eMRAM工藝窗口限制，全程參與MRAM比特單元、外圍電路、高帶寬讀出電路及大模型推理算子加速等關鍵方案設計。SEMIFIVE則承擔后端硅實現與MPW流片支持，雙方形成“底層架構自研+國際生態落地”的創新合作模式，擺脫了對標準IP調用的依賴。
技術層面，寒序科技創新采用“MRAM+SRAM”混合存儲架構，針對性解決傳統AI芯片的“內存墻”難題。通過用eMRAM替代大規模片上SRAM，該方案有效緩解工藝微縮后SRAM面積效率低、功耗高的問題。結合近內存處理（PNM）架構與GEMV計算技術，芯片在Transformer推理關鍵算子加速上表現突出，可支持20億參數大模型在端側運行，性能比肩國際頂尖推理芯片路線，并在存儲密度與能效比上實現超越。
該芯片聚焦私有AI Agent、人形機器人等端側場景，同時適配具身智能與云端推理中心需求。作為GPU/HBM體系外的高能效推理加速模塊，其核心優勢在于eMRAM的非易失、高帶寬、低功耗特性。這種存儲介質無需刷新即可長期保存數據，單元尺寸僅為SRAM的1/3，特別適合功耗與空間受限的邊緣設備，為國產端側AI應用提供關鍵算力支撐。
此次技術突破源于寒序科技與北京大學物理學院應用磁學中心的長期合作。依托自旋電子學與存算一體領域的技術積淀，研發團隊在MRAM材料特性、電路設計及架構優化等方面取得系列創新成果，為芯片商業化落地奠定基礎。隨著8nm eMRAM工藝的成熟應用，國產AI芯片在邊緣計算領域的競爭力將顯著提升。
