【智快網(wǎng)】1月26日消息，韓國政府近日作出重大決策，將高帶寬存儲器技術(HBM)確立為國家戰(zhàn)略技術，以推動人工智能芯片產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

為實現(xiàn)此戰(zhàn)略目標，韓國政府對現(xiàn)有稅法進行了相應調(diào)整，將享受研發(fā)投資稅收優(yōu)惠的國家戰(zhàn)略技術范圍進一步擴大。具體而言，針對中小企業(yè)，其研發(fā)投資在國家戰(zhàn)略技術領域可享受的稅收減免幅度高達40%至50%;而中型和大型企業(yè)也可獲得30%至40%的稅收減免。這一舉措旨在激勵更多企業(yè)投身于國家戰(zhàn)略技術的研發(fā)與創(chuàng)新。

據(jù)智快網(wǎng)了解，隨著半導體市場的逐漸復蘇，韓國的主要半導體廠商，如三星電子和SK海力士等，已經(jīng)在高帶寬存儲器技術領域取得了顯著進展。為了順應市場需求和技術趨勢，這些企業(yè)正不斷加大在該領域的研發(fā)投入。

三星電子計劃于2024年開始量產(chǎn)基于CXL技術的DRAM產(chǎn)品。CXL作為一種新型的互連接技術，能夠有效提升芯片間的連接性能和帶寬。此外，三星電子在2023年12月已經(jīng)提交了多個與CXL產(chǎn)品相關的商標注冊申請，這充分表明了該公司對于這一技術的重視和布局。

與此同時，SK海力士也不甘落后，計劃于2024年上半年推出新一代HBM產(chǎn)品。HBM技術憑借其高數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬優(yōu)勢，在人工智能和數(shù)據(jù)中心等領域具有廣泛的應用前景。目前，SK海力士在該領域已經(jīng)建立了領先的技術地位，并與全球AI芯片巨頭英偉達等建立了緊密的合作關系。

展望未來，全球HBM市場規(guī)模有望在2024年實現(xiàn)翻倍增長，這為韓國半導體產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展機遇。在此背景下，韓國政府和企業(yè)將繼續(xù)加強合作與創(chuàng)新，共同推動高帶寬存儲器技術的持續(xù)進步與發(fā)展。