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三星泰勒2nm邏輯廠加速調(diào)試光刻機 平澤P4 DRAM廠推進設(shè)備導(dǎo)入與建設(shè)

   發(fā)布時間:2026-04-06 18:15 作者:江紫萱

據(jù)韓國媒體綜合報道,三星電子半導(dǎo)體部門正全力推進產(chǎn)能擴張,以應(yīng)對人工智能技術(shù)快速發(fā)展帶來的先進邏輯芯片與存儲芯片需求激增。

在邏輯芯片領(lǐng)域,三星位于美國得克薩斯州泰勒市的2納米晶圓廠已進入關(guān)鍵建設(shè)階段。該工廠EUV光刻機測試工作全面展開,蝕刻與沉積等核心工藝設(shè)備正分批次進場安裝。根據(jù)規(guī)劃,這座投資數(shù)百億美元的先進制程工廠將于今年內(nèi)啟動試生產(chǎn),預(yù)計到2027年實現(xiàn)月產(chǎn)3萬片晶圓的滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)。該項目的推進標(biāo)志著三星在2納米制程競賽中取得重要進展,有望與臺積電形成直接競爭。

存儲芯片業(yè)務(wù)方面,三星電子持續(xù)加碼平澤P4晶圓廠集群建設(shè)。最新消息顯示,該集群最后兩個生產(chǎn)階段PH2和PH4已獲得大規(guī)模前端設(shè)備訂單,將專注于生產(chǎn)支持HBM4至HBM5標(biāo)準(zhǔn)的1c納米DRAM芯片。其中PH4階段設(shè)備導(dǎo)入工作將于5-6月啟動,整體進度領(lǐng)先于其他階段;PH2階段潔凈室建設(shè)已全面展開,裝機工作定于11月啟動,預(yù)計2027年2月完成全部建設(shè)。

平澤P4集群現(xiàn)有建設(shè)進展順利:PH1階段已完成全部投資,PH3階段設(shè)備安裝接近尾聲,預(yù)計年內(nèi)可實現(xiàn)每月1.3萬至1.4萬片晶圓的投片量。作為全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,平澤園區(qū)通過分階段建設(shè)模式持續(xù)提升產(chǎn)能,其1c納米DRAM生產(chǎn)線將重點滿足人工智能服務(wù)器對高帶寬內(nèi)存的旺盛需求。業(yè)內(nèi)分析指出,三星通過同時推進邏輯芯片與存儲芯片產(chǎn)能建設(shè),正在構(gòu)建完整的AI芯片供應(yīng)鏈體系。

 
 
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