集邦咨詢(xún)（TrendForce）最新發(fā)布的行業(yè)分析報(bào)告顯示，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷新一輪價(jià)格調(diào)整周期，其中DRAM與NAND Flash兩大核心產(chǎn)品均呈現(xiàn)顯著波動(dòng)。三星電子近期宣布維持DDR4內(nèi)存產(chǎn)品的停產(chǎn)（EOL）計(jì)劃，這一決策直接導(dǎo)致DDR4現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格漲幅遠(yuǎn)超新一代DDR5產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2026年其價(jià)格走勢(shì)將持續(xù)上揚(yáng)。

據(jù)報(bào)告分析，三星的停產(chǎn)決定打破了市場(chǎng)對(duì)DDR4長(zhǎng)期供應(yīng)的預(yù)期，引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈連鎖反應(yīng)。隨著2026年停產(chǎn)時(shí)間節(jié)點(diǎn)臨近，DDR4內(nèi)存的全球供應(yīng)量預(yù)計(jì)將出現(xiàn)斷崖式下降。這種供應(yīng)端的急劇收縮將人為制造產(chǎn)品稀缺性，可能引發(fā)價(jià)格倒掛現(xiàn)象——其單位存儲(chǔ)容量（每Gb）價(jià)格或?qū)⑴噬翚v史高位，甚至超越部分采用先進(jìn)制程的存儲(chǔ)產(chǎn)品。市場(chǎng)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，主流型號(hào)DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片的現(xiàn)貨均價(jià)已從12月24日的22.235美元漲至12月30日的23.746美元，周漲幅達(dá)6.80%。

NAND Flash市場(chǎng)同樣呈現(xiàn)強(qiáng)勁上漲態(tài)勢(shì)。受2026年第一季度合約價(jià)格看漲預(yù)期推動(dòng)，本周512Gb TLC晶圓現(xiàn)貨價(jià)格大幅攀升13.35%，達(dá)到13.055美元?，F(xiàn)貨貿(mào)易商普遍對(duì)后市持樂(lè)觀態(tài)度，在出貨環(huán)節(jié)采取高價(jià)策略，進(jìn)一步推高市場(chǎng)價(jià)格。行業(yè)觀察人士指出，NAND Flash與DRAM的價(jià)格聯(lián)動(dòng)效應(yīng)正在顯現(xiàn)，兩大存儲(chǔ)品類(lèi)同步進(jìn)入上行周期，可能對(duì)全球電子產(chǎn)業(yè)鏈成本結(jié)構(gòu)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)認(rèn)為，三星的產(chǎn)能調(diào)整策略具有風(fēng)向標(biāo)意義。作為全球存儲(chǔ)芯片龍頭，其DDR4停產(chǎn)計(jì)劃不僅直接影響現(xiàn)貨市場(chǎng)供需平衡，更可能迫使下游廠(chǎng)商加速向DDR5遷移。然而，考慮到DDR5目前較高的成本門(mén)檻，2026年前DDR4仍將在中低端市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位，其價(jià)格走勢(shì)將持續(xù)成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。與此同時(shí)，NAND Flash市場(chǎng)因企業(yè)級(jí)SSD需求回暖與智能手機(jī)存儲(chǔ)容量升級(jí)，預(yù)計(jì)將維持供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)至2026年中。