半導(dǎo)體行業(yè)近日傳來(lái)新動(dòng)態(tài)，三星電子在下一代高帶寬內(nèi)存HBM4的競(jìng)爭(zhēng)中取得關(guān)鍵進(jìn)展。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星為英偉達(dá)明年即將發(fā)布的新一代人工智能加速器提供的HBM4樣品，在系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）測(cè)試中表現(xiàn)優(yōu)異，運(yùn)行速度與功耗效率兩項(xiàng)核心指標(biāo)均領(lǐng)先于其他內(nèi)存廠商。

英偉達(dá)團(tuán)隊(duì)上周專程前往三星電子，重點(diǎn)核驗(yàn)HBM4的SiP測(cè)試進(jìn)展。這項(xiàng)測(cè)試被視為產(chǎn)品量產(chǎn)前的最后一道關(guān)卡，其技術(shù)難點(diǎn)在于將圖形處理器、存儲(chǔ)芯片、中介層及電源管理芯片等多個(gè)組件集成至單一封裝內(nèi)。三星此次測(cè)試成績(jī)不僅驗(yàn)證了其技術(shù)實(shí)力，更引發(fā)市場(chǎng)對(duì)其供貨能力的強(qiáng)烈期待——有消息稱，英偉達(dá)對(duì)三星HBM4的采購(gòu)需求遠(yuǎn)超預(yù)期，可能為三星帶來(lái)顯著營(yíng)收增長(zhǎng)。

供應(yīng)鏈消息顯示，三星平澤P4生產(chǎn)線已進(jìn)入擴(kuò)產(chǎn)沖刺階段，預(yù)計(jì)明年第一季度可完成供貨協(xié)議簽署，第二季度啟動(dòng)全面量產(chǎn)。盡管三星方面對(duì)測(cè)試細(xì)節(jié)保持沉默，但內(nèi)部研發(fā)團(tuán)隊(duì)普遍認(rèn)為，公司在HBM4領(lǐng)域已建立技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這與HBM3E研發(fā)時(shí)期被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手壓制的局面形成鮮明對(duì)比。

不過(guò)，存儲(chǔ)行業(yè)另一巨頭SK海力士同樣動(dòng)作迅速。該公司已于9月底完成HBM4量產(chǎn)準(zhǔn)備，向英偉達(dá)交付付費(fèi)樣品并進(jìn)入試產(chǎn)階段，較三星提前約三個(gè)月。但值得關(guān)注的是，此次兩家企業(yè)的技術(shù)差距已從HBM3E時(shí)期的近一年大幅縮短至三個(gè)月，顯示行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局正在發(fā)生變化。

系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的突破成為關(guān)鍵變量。以HBM4為例，其通過(guò)三維堆疊設(shè)計(jì)將多個(gè)芯片垂直整合，在提升數(shù)據(jù)傳輸速率的同時(shí)降低功耗。這種技術(shù)路徑對(duì)封裝精度和散熱管理提出極高要求，而三星在SiP測(cè)試中的領(lǐng)先表現(xiàn)，為其爭(zhēng)取英偉達(dá)訂單增添了重要籌碼。隨著量產(chǎn)時(shí)間節(jié)點(diǎn)臨近，市場(chǎng)正密切關(guān)注三星能否將技術(shù)優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際供貨份額。