盛美半導體（ACM Research）近日宣布，其自主研發的首臺等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）碳氮化硅（SiCN）設備已完成交付準備，正式發往客戶工廠進行最終驗證。這一突破標志著盛美在半導體設備領域的技術版圖進一步擴展，為先進制程工藝提供了關鍵裝備支持。
該設備專為300mm（12英寸）晶圓制造設計，可精準滿足55nm及以下制程節點中后段金屬互聯工藝對SiCN薄膜的嚴苛要求，同時兼容先進封裝領域的應用需求。通過旋轉沉積技術，設備實現了高均勻性的薄膜生長，為芯片性能提升提供了重要保障。
在結構設計上，該設備創新性地配置了四個晶圓裝載口與三個獨立工藝腔體。每個工位負責沉積總膜厚的三分之一，并配備獨立射頻系統，確保工藝參數的精確控制。其最高工藝溫度可達400℃，能夠適應多種復雜材料體系的加工需求。
盛美上?？偨浝硗鯃灾赋?，此次設備交付是公司技術迭代的重要里程碑。通過模塊化架構與智能化控制系統的結合，該平臺不僅支持現有工藝需求，更具備向更先進制程延伸的潛力，可為半導體制造企業應對器件集成復雜度提升提供關鍵解決方案。
