臺積電前研發(fā)副總裁林本堅近日在接受媒體專訪時提出一個引人關(guān)注的觀點：中國大陸或許無需依賴EUV光刻機，僅憑現(xiàn)有的浸潤式DUV光刻機技術(shù)，就有可能突破5納米芯片制造工藝。這位被譽為“浸潤式光刻機之父”的專家指出，浸潤式DUV光刻機本身具備這樣的技術(shù)潛力，其原理在于通過多重曝光等工藝優(yōu)化手段，能夠突破傳統(tǒng)技術(shù)節(jié)點的限制。

追溯浸潤式光刻機的發(fā)展歷程，林本堅在臺積電任職期間主導了這項技術(shù)的研發(fā)。當時日本光刻機巨頭佳能、尼康等企業(yè)專注于干式光刻機技術(shù)，對浸潤式方案興趣寥寥。而處于行業(yè)邊緣的荷蘭企業(yè)ASML卻敏銳捕捉到機遇，與臺積電展開深度合作。雙方聯(lián)合研發(fā)的浸潤式光刻機不僅幫助ASML在2008年前后超越日本對手，更奠定了其在光刻機領(lǐng)域的長期領(lǐng)導地位。后續(xù)ASML獲得美國EUV技術(shù)支持后，進一步鞏固了行業(yè)龍頭位置，但這段合作歷史始終被視為光刻機技術(shù)演進的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點。

作為技術(shù)提出者，林本堅對浸潤式光刻機的性能邊界有著深刻認知。臺積電曾使用該技術(shù)通過多重曝光工藝實現(xiàn)7納米芯片量產(chǎn)，盡管這種方案導致成本顯著增加。后續(xù)轉(zhuǎn)向EUV光刻機后，第二代7納米工藝在性能和功耗方面獲得明顯提升，并延續(xù)至5納米、3納米等更先進制程。值得注意的是，當前三星已采用第二代EUV光刻機生產(chǎn)2納米芯片，而臺積電仍使用第一代設(shè)備，這種差異既體現(xiàn)技術(shù)路線選擇，也反映出成本控制考量——第二代EUV設(shè)備價格較前代高出兩倍。

林本堅的論斷為中國芯片產(chǎn)業(yè)注入新動力。據(jù)行業(yè)消息，國內(nèi)企業(yè)正利用浸潤式DUV光刻機攻克接近臺積電7納米水平的芯片制造技術(shù)，若成功將成為繼臺積電、三星、英特爾之后第四家掌握該工藝的廠商。更值得關(guān)注的是，在7納米突破后，5納米研發(fā)已提上日程。盡管成本壓力巨大，但掌握先進制程對中國芯片產(chǎn)業(yè)具有戰(zhàn)略意義，既能為自主研發(fā)光刻機爭取時間，也能推動整體技術(shù)生態(tài)升級。

中國芯片產(chǎn)業(yè)的突破不僅體現(xiàn)在光刻環(huán)節(jié)。在刻蝕機等關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域，國內(nèi)已實現(xiàn)3納米技術(shù)突破，這類設(shè)備的精度僅次于光刻機。先進刻蝕機與浸潤式DUV光刻機的協(xié)同研發(fā)，有望降低5納米工藝的開發(fā)難度。這種技術(shù)組合策略已在7納米階段顯現(xiàn)成效——基于類似工藝水平的國產(chǎn)芯片，已在手機處理器、人工智能芯片等領(lǐng)域取得重要進展。例如，當美國放寬對華AI芯片出口限制后，國內(nèi)企業(yè)選擇放棄采購英偉達定制版H20芯片，轉(zhuǎn)而使用自主研發(fā)的替代產(chǎn)品，這從側(cè)面印證了國產(chǎn)芯片的性能競爭力。