三星正全力推動(dòng)其晶圓代工業(yè)務(wù)在2納米制程時(shí)代實(shí)現(xiàn)突破，目前進(jìn)展順利。近日，三星宣布其下一代制程工藝已取得首批量產(chǎn)成果，性能較前代顯著提升。即將應(yīng)用于Galaxy S26手機(jī)的Exynos 2600芯片，將成為首款采用該工藝的產(chǎn)品。三星還透露已為這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)贏得其他芯片客戶，進(jìn)一步拓展市場(chǎng)布局。

根據(jù)三星第三季度財(cái)報(bào)披露的數(shù)據(jù)，其第一代2納米全環(huán)繞柵極（GAA）制程在多個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)上超越了第二代3納米技術(shù)。具體而言，新工藝使芯片性能提升5%，能效提高8%，同時(shí)芯片面積縮小5%。這些改進(jìn)不僅體現(xiàn)了技術(shù)進(jìn)步，也為移動(dòng)設(shè)備等終端產(chǎn)品提供了更強(qiáng)的性能支持。

在全球晶圓代工市場(chǎng)，三星長(zhǎng)期面臨臺(tái)積電的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)。數(shù)據(jù)顯示，截至2025年第二季度，臺(tái)積電的市場(chǎng)份額已超過70%，穩(wěn)居行業(yè)龍頭地位。然而，行業(yè)觀察人士認(rèn)為，2納米制程的普及可能成為三星縮小與臺(tái)積電差距的重要契機(jī)。盡管兩者均采用GAA架構(gòu)，但技術(shù)路徑存在差異：臺(tái)積電首次在2納米節(jié)點(diǎn)引入該技術(shù)，而三星早在3納米制程中便已應(yīng)用，積累了量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

良率仍是衡量晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)力的核心指標(biāo)。通常認(rèn)為，60%以上的良率適合大規(guī)模量產(chǎn)。臺(tái)積電在2納米工藝上已實(shí)現(xiàn)約80%的良率，進(jìn)入穩(wěn)定生產(chǎn)階段。三星則表示，其2納米制程的良率已提升至50%至60%區(qū)間，但仍需進(jìn)一步優(yōu)化。搭載Exynos 2600芯片的Galaxy S26手機(jī)上市后，市場(chǎng)反饋將成為檢驗(yàn)三星技術(shù)實(shí)力的關(guān)鍵。