中微公司（AMEC）在近期舉辦的SEMICON China展會(huì)上重磅推出四款半導(dǎo)體制造設(shè)備，覆蓋硅基及化合物半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝領(lǐng)域。這些新產(chǎn)品不僅豐富了中微的產(chǎn)品矩陣，更通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新提升了系統(tǒng)化解決方案能力，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入新動(dòng)能。

針對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)高深寬比刻蝕需求，中微推出新一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Angnova。該設(shè)備采用中心抽氣設(shè)計(jì)，配備對(duì)稱氣流控制閥與高速分子泵系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)超高反應(yīng)氣體通量。其核心創(chuàng)新在于集成第二代LCC射頻線圈與MFTR直流磁場(chǎng)輔助線圈，配合四段脈沖控制技術(shù)，可獨(dú)立調(diào)節(jié)離子濃度與能量。設(shè)備搭載的超低頻射頻等離子體源能產(chǎn)生極高離子能量，顯著提升高深寬比結(jié)構(gòu)的刻蝕精度。溫度控制方面，200區(qū)獨(dú)立溫控的Durga III ESC靜電吸盤結(jié)合晶圓邊緣AEIT技術(shù)，確保片內(nèi)刻蝕均勻性優(yōu)于行業(yè)平均水平。系統(tǒng)集成上，Primo Angnova可配置6個(gè)主刻蝕腔與2個(gè)除膠腔，降低綜合運(yùn)營(yíng)成本達(dá)30%。

面向GAA、3D NAND等新型存儲(chǔ)器件工藝，中微同步推出高選擇性刻蝕機(jī)Primo Domingo。該設(shè)備采用全對(duì)稱腔體結(jié)構(gòu)與優(yōu)化流場(chǎng)設(shè)計(jì)，通過(guò)集成氣柜縮短氣體注入路徑，實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)脈沖控制。設(shè)備內(nèi)部采用高抗腐蝕管路與特殊涂層，可穩(wěn)定處理高活性刻蝕氣體。雙制冷/雙加熱晶圓基座支持-20℃至300℃寬溫區(qū)控制，配合Primo C6V3傳輸系統(tǒng)，可靈活搭配主刻蝕腔與輔助退火腔。實(shí)際測(cè)試顯示，該設(shè)備在3D NAND堆疊層刻蝕中，關(guān)鍵尺寸均勻性（CDU）控制在1.2nm以內(nèi)，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

在射頻控制領(lǐng)域，中微發(fā)布的Smart RF Match智能匹配器實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。該設(shè)備首次引入射頻回路專網(wǎng)概念，通過(guò)EtherCAT總線實(shí)現(xiàn)射頻電源與匹配器的毫秒級(jí)通信。基于自主開(kāi)發(fā)的智能算法，設(shè)備可自動(dòng)選擇電源頻率調(diào)節(jié)范圍與匹配模式，匹配速度較傳統(tǒng)設(shè)備提升百倍以上。在客戶端5nm邏輯工藝測(cè)試中，該系統(tǒng)使射頻信號(hào)匹配速度提升225%，刻蝕效率提高15%，同時(shí)將等離子體穩(wěn)定性波動(dòng)控制在0.3%以內(nèi)，顯著提升良品率。

針對(duì)Micro LED量產(chǎn)需求，中微推出Preciomo Udx MOCVD設(shè)備。該設(shè)備采用水平式雙旋轉(zhuǎn)反應(yīng)室設(shè)計(jì)，通過(guò)溫場(chǎng)與流場(chǎng)協(xié)同優(yōu)化，將波長(zhǎng)均勻性提升至99.5%以上。設(shè)備支持18片6英寸或12片8英寸氮化鎵外延片同步加工，每個(gè)反應(yīng)腔獨(dú)立控制，滿足多波長(zhǎng)共蒸需求。全自動(dòng)化EFEM傳輸系統(tǒng)與SMIF標(biāo)準(zhǔn)接口，將顆粒污染控制在個(gè)位數(shù)級(jí)別，為Micro LED商業(yè)化生產(chǎn)提供關(guān)鍵裝備支撐。