【智快網】12月22日消息，意法半導體今日宣布與理想汽車達成一項戰略性長期供貨協議，旨在支持理想汽車進一步拓展高壓純電動車市場。
根據協議內容，意法半導體將為理想汽車提供高性能碳化硅(SiC)MOSFET電子元件，這些元件具備更高的開關頻率、擊穿電壓和熱阻等特性，有助于顯著提升功率晶體管的性能和能效。這些特性在高電壓環境下尤為關鍵，而理想汽車即將發布的800V高壓純電平臺將采用意法半導體的第三代1200V SiC MOSFET技術，以滿足純電動車的高性能需求。
理想汽車供應鏈副總裁孟慶鵬表示：“理想汽車致力于為家庭用戶提供超預期的豪華電動車。本次與ST的SiC供貨協議簽署印證了理想汽車在開發純電動車產品上的堅定決心。我們期待與全球碳化硅技術領導者ST的未來合作，相信這將是一段富有創新和成功的合作關系。”
意法半導體執行副總裁兼中國區總裁曹志平也表示：“意法半導體是全球功率半導體和寬禁帶技術的領軍企業，長期以來一直是多家知名汽車制造商和一級供應商的可靠供應商。此次與理想汽車簽署的碳化硅供應協議不僅標志著雙方在其他汽車應用方面的長期合作關系，也是未來發展的重要一步。ST將全力支持理想汽車在中國高端新能源汽車市場的發展，通過我們的SiC創新技術，為用戶提供卓越的汽車性能和續航里程?！?/p>
根據智快網了解，今年6月，理想汽車在理想家庭科技日發布會上推出了800V高壓平臺5C電池，其充電峰值功率超過500kw，可實現9分30秒內續航400公里，充電22分鐘續航600公里的出色性能。此外，5C快充采用低內阻電芯，有效降低了產熱量。
理想汽車還宣布計劃在2023年底前建設300多個超級充電站，到2025年，將實現3000多個超充站的建設。這些站點平均間隔為100公里，每小時可為9至20輛汽車提供充電服務，以滿足不斷增長的電動車市場需求。
