高性能內(nèi)存接口芯片與硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Rambus近日宣布，正式推出面向HBM4E內(nèi)存的控制器IP解決方案，為人工智能（AI）加速器和圖形處理器（GPU）的內(nèi)存性能提升開辟新路徑。這一創(chuàng)新成果將進(jìn)一步鞏固其在HBM IP市場(chǎng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，助力行業(yè)應(yīng)對(duì)下一代計(jì)算架構(gòu)對(duì)內(nèi)存帶寬的嚴(yán)苛需求。

據(jù)Rambus硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Simon Blake-Wilson介紹，隨著AI模型參數(shù)規(guī)模呈指數(shù)級(jí)增長，傳統(tǒng)內(nèi)存架構(gòu)已難以滿足實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理需求。HBM4E控制器IP通過集成先進(jìn)可靠性功能，實(shí)現(xiàn)了每引腳16Gbps的傳輸速率，單設(shè)備吞吐量達(dá)4.1TB/s。若采用八設(shè)備配置，AI加速器的內(nèi)存帶寬可突破32TB/s，較前代產(chǎn)品提升近一倍，為大規(guī)模語言模型（LLM）訓(xùn)練和實(shí)時(shí)推理提供關(guān)鍵支撐。

三星電子代工廠IP開發(fā)團(tuán)隊(duì)副總裁Ben Rhew強(qiáng)調(diào)，HBM4E技術(shù)標(biāo)志著高帶寬內(nèi)存發(fā)展進(jìn)入新階段。其獨(dú)特的三維堆疊架構(gòu)與TSV硅通孔技術(shù)相結(jié)合，不僅提升了內(nèi)存密度，還通過優(yōu)化信號(hào)完整性顯著降低了功耗。三星正與Rambus深化合作，共同開發(fā)適用于2.5D/3D先進(jìn)封裝的解決方案，加速AI芯片的商業(yè)化進(jìn)程。

行業(yè)分析機(jī)構(gòu)IDC指出，AI處理器對(duì)HBM內(nèi)存的需求正以每年超40%的速度增長。內(nèi)存半導(dǎo)體項(xiàng)目負(fù)責(zé)人So Kyoum Kim表示，HBM4E的及時(shí)推出恰逢其時(shí)，其知識(shí)產(chǎn)權(quán)解決方案為硬件設(shè)計(jì)師提供了標(biāo)準(zhǔn)化接口，可快速集成至AI SoC或定制化基板中，有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期。這種模塊化設(shè)計(jì)尤其適用于需要處理萬億參數(shù)級(jí)模型的超算中心和自動(dòng)駕駛系統(tǒng)。

MatX公司首席執(zhí)行官Reiner Pope從應(yīng)用角度評(píng)價(jià)稱，內(nèi)存帶寬已成為制約LLM性能的關(guān)鍵因素。HBM4E控制器IP通過突破性的數(shù)據(jù)傳輸效率，有望將模型訓(xùn)練時(shí)間縮短30%以上，同時(shí)降低對(duì)多卡并行計(jì)算的依賴。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于降低AI部署成本、推動(dòng)技術(shù)普惠具有重要意義。

技術(shù)細(xì)節(jié)顯示，Rambus HBM4E控制器IP支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，可與第三方PHY層解決方案無縫協(xié)作。其內(nèi)置的動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)機(jī)制能實(shí)時(shí)補(bǔ)償溫度和電壓波動(dòng)，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。該方案還提供可配置的通道寬度選項(xiàng)，開發(fā)者可根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景在128位至512位間靈活調(diào)整，平衡性能與功耗需求。