近期，臺灣內存制造商南亞科技在AI DRAM領域加速其戰(zhàn)略部署，旨在從高度競爭的HBM市場中脫穎而出，特別是在全球三大內存制造商激烈角逐的背景下。這一動向得到了臺灣《工商時報》與《經濟日報》的綜合報道。

南亞科技的領航者，總經理李培瑛，強調了AI應用內存技術的四大核心要素：先進且高密度的DRAM技術、3D TSV硅通孔技術與多芯片封裝工藝、HBM設計實力，以及邏輯Base Die（基礎裸晶）的應用。他透露，南亞科技已在先進DRAM技術領域完成布局，并與補丁科技與福懋科技攜手，共同推進TSV技術和封裝技術的發(fā)展。

對于HBM設計與邏輯制程Base Die的獲取，南亞科技采取了戰(zhàn)略性的投資與合作策略。據李培瑛介紹，南亞科技的定制化DRAM項目預計在2026年就能獲得驗證，并在2026年底至2027年期間為公司業(yè)績做出貢獻。

面對當前市場環(huán)境的變化，南亞科技正積極應對。由于三大內存制造商相繼減產或停產DDR3、DDR4產品，南亞科技抓住了這一轉單機遇。同時，隨著市場提前備貨的趨勢顯現，南亞科技有望在第三季度完成庫存清理，并在第四季度努力實現扭虧為盈的目標。