存儲(chǔ)行業(yè)巨頭美光科技近日宣布，其位于美國(guó)紐約州的巨型晶圓廠項(xiàng)目將于1月16日正式啟動(dòng)建設(shè)。這座規(guī)劃中的先進(jìn)制造中心總投資達(dá)1000億美元，創(chuàng)下紐約州私人投資規(guī)模的歷史紀(jì)錄。項(xiàng)目選址經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的環(huán)境評(píng)估與審批流程，目前已完成場(chǎng)地平整等前期準(zhǔn)備工作，即將進(jìn)入實(shí)質(zhì)性施工階段。

該制造基地將分階段建設(shè)四座晶圓廠，采用最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)，主要生產(chǎn)面向人工智能、數(shù)據(jù)中心等高增長(zhǎng)領(lǐng)域的存儲(chǔ)芯片。根據(jù)建設(shè)時(shí)間表，首座工廠預(yù)計(jì)2030年投入運(yùn)營(yíng)，第二座工廠將于2033年啟用，全部四座工廠預(yù)計(jì)在2045年前完工。項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造約9000個(gè)直接就業(yè)崗位，涵蓋工程師、技術(shù)工人和運(yùn)營(yíng)管理人員等多個(gè)領(lǐng)域。

美光科技最初于2022年10月對(duì)外公布這項(xiàng)投資計(jì)劃，原定2024年中期開(kāi)工建設(shè)。但由于項(xiàng)目涉及超過(guò)萬(wàn)頁(yè)的環(huán)境影響評(píng)估報(bào)告，加上需要獲得聯(lián)邦和州級(jí)多個(gè)部門(mén)的審批許可，導(dǎo)致實(shí)際開(kāi)工時(shí)間推遲了約18個(gè)月。公司表示，目前所有法定程序均已完成，3月31日前將完成場(chǎng)地清理工作，隨后啟動(dòng)鐵路支線改造和濕地平整等配套工程。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research的最新數(shù)據(jù)顯示，在2025年第三季度全球高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)中，美光以21%的營(yíng)收份額位居第三，落后于SK海力士（57%）和三星電子（22%）。不過(guò)在包含HBM在內(nèi)的整體動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）市場(chǎng)，美光以26%的份額緊追三星電子（33%）和SK海力士（34%）。行業(yè)分析師指出，若美光能通過(guò)新建晶圓廠將市場(chǎng)份額提升至40%，將有望改寫(xiě)全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。