近日，國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來一項重大突破——國內(nèi)首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線點亮儀式在上海浦東川沙順利舉行。這條工藝線由原集微科技打造，預(yù)計在今年6月正式投入使用，標志著我國在二維半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進程中邁出了關(guān)鍵一步。

原集微科技是一家專注于二維半導(dǎo)體領(lǐng)域的企業(yè)，由集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究員及博士生導(dǎo)師包文中于2025年2月創(chuàng)立。該公司宣稱是國內(nèi)首家聚焦超越摩爾與非硅基異質(zhì)集成技術(shù)的二維半導(dǎo)體企業(yè)，致力于推動二維半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

在二維半導(dǎo)體研究方面，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室的周鵬、包文中聯(lián)合團隊成果斐然。2025年4月，該團隊成功研制出全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無極”。這款微處理器完全不依賴先進的EUV光刻機，相關(guān)研究成果發(fā)表于國際頂級期刊《自然》，引起了全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。

原集微科技對于二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線的發(fā)展有著清晰的規(guī)劃。公司創(chuàng)始人包文中表示，計劃在2026年6月實現(xiàn)這條工藝線的正式通線。在制程工藝上，今年將實現(xiàn)等效硅基90納米的CMOS制程，隨后在2027年實現(xiàn)等效硅基28納米工藝，2028年進一步實現(xiàn)等效硅基5納米甚至3納米工藝。最終目標是在2029年或2030年，使我國二維半導(dǎo)體工藝達到國際先進制程水平。

包文中還對二維芯片的發(fā)展前景充滿信心。他指出，雖然目前二維芯片的規(guī)模僅相當(dāng)于幾十年前的英特爾8080芯片，但一旦進入產(chǎn)業(yè)化路徑，其發(fā)展速度將遠超硅基摩爾定律。由于二維芯片的制造工藝與硅基高度兼容，能夠站在硅半導(dǎo)體的基礎(chǔ)上實現(xiàn)跨越式發(fā)展。

周鵬也從性能角度闡述了二維芯片的優(yōu)勢。他表示，目前團隊利用二維半導(dǎo)體微米級工藝，已經(jīng)實現(xiàn)了硅基納米級芯片的功耗表現(xiàn)。未來如果通過產(chǎn)業(yè)化方式大規(guī)模制造，二維芯片將具備更快的速度和更低的功耗。這一特性將為人工智能的廣泛應(yīng)用提供強大支持，特別是在移動端低功耗算力需求的場景，如無人機和機器人等領(lǐng)域，二維芯片有望發(fā)揮重要作用。