SK海力士近日宣布，其基于第六代10納米級（1c）工藝的LPDDR5X低功耗DRAM已正式量產，并成功推出192GB容量的SOCAMM2內存模塊。這款產品專為下一代AI服務器設計，通過優化厚度與可擴展性，成為應對高密度計算場景的理想解決方案。
與傳統寄存雙列直插式內存模塊（RDIMM）相比，SOCAMM2采用壓縮式連接器設計，在提升信號完整性的同時簡化了維護流程。該產品帶寬較RDIMM提升超過200%，功耗降低幅度達75%以上，顯著優化了AI訓練與推理過程中的能效表現。其核心優勢在于突破了千億參數級大模型運算時的存儲瓶頸，為系統整體性能提升提供關鍵支撐。
技術層面，SOCAMM2通過1c工藝實現高性能AI運算的深度優化。該內存模塊特別針對英偉達Vera Rubin平臺開發，可滿足下一代服務器對低延遲、高帶寬的嚴苛要求。SK海力士透露，產品已建立穩定的量產體系，能夠快速響應全球云服務供應商的規模化需求。
隨著AI應用從模型訓練向推理階段轉型，低功耗運行成為存儲解決方案的核心訴求。SK海力士強調，SOCAMM2通過架構創新與工藝升級，在保持高性能的同時實現能耗控制，為數據中心規模化部署AI服務提供關鍵基礎設施支持。該產品的量產標志著存儲技術向更高效、更智能的方向邁出重要一步。
