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SK海力士1c工藝LPDDR6內(nèi)存問世:數(shù)據(jù)處理提速33% 功耗直降超兩成

   發(fā)布時間:2026-03-10 13:54 作者:沈瑾瑜

SK海力士近日宣布,成功開發(fā)出基于第六代10納米級(1c)工藝的16Gb LPDDR6 DRAM內(nèi)存產(chǎn)品。這款專為端側(cè)AI應用設計的高性能內(nèi)存,在數(shù)據(jù)處理速度和能效表現(xiàn)上均實現(xiàn)突破性進展,標志著移動存儲技術進入全新階段。

作為全球首個完成1c工藝LPDDR6開發(fā)驗證的企業(yè),SK海力士計劃今年上半年完成量產(chǎn)準備,下半年啟動正式供貨。這款新產(chǎn)品將進一步豐富其面向AI優(yōu)化的DRAM產(chǎn)品線,滿足智能手機、平板電腦等移動設備對高性能計算的嚴苛需求。LPDDR標準自誕生以來已歷經(jīng)多次迭代,此次發(fā)布的LPDDR6成為該系列最新成員,延續(xù)了低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率的技術特性。

性能測試數(shù)據(jù)顯示,1c LPDDR6的數(shù)據(jù)處理速度較前代LPDDR5X提升33%,基礎工作速度突破10.7 Gbps大關。這一提升得益于帶寬擴展和單位時間數(shù)據(jù)傳輸量的顯著增加,使設備能夠更高效地處理AI推理、高清影像等復雜任務。在能效優(yōu)化方面,新產(chǎn)品通過采用子通道結(jié)構(gòu)和DVFS動態(tài)調(diào)節(jié)技術,實現(xiàn)超過20%的功耗降低。

技術細節(jié)顯示,子通道結(jié)構(gòu)允許系統(tǒng)僅激活必要的數(shù)據(jù)傳輸路徑,避免整體電路的無效能耗;DVFS技術則可根據(jù)工作負載動態(tài)調(diào)整電壓與頻率,在高性能需求場景下提升運行等級,日常使用中降低參數(shù)以節(jié)省電力。這種智能調(diào)節(jié)機制使設備能在游戲、視頻編輯等重載場景與待機、輕應用等低負載場景間實現(xiàn)最優(yōu)能效平衡。

 
 
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