ASML公司近日宣布，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)在極紫外（EUV）光刻機(jī)光源技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破。據(jù)首席技術(shù)專家Michael Purvis透露，研究人員已成功開發(fā)出將現(xiàn)有EUV光刻機(jī)光源功率從600瓦提升至1000瓦的解決方案，這項(xiàng)技術(shù)突破并非實(shí)驗(yàn)室階段的臨時成果，而是構(gòu)建了能夠滿足芯片制造企業(yè)實(shí)際生產(chǎn)需求的完整系統(tǒng)。

光源功率的顯著提升直接推動光刻機(jī)產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。根據(jù)ASML的測算數(shù)據(jù)，當(dāng)光源功率達(dá)到1000瓦后，到2030年單臺設(shè)備每小時可處理的晶圓數(shù)量將從220片增加至330片，產(chǎn)能增幅達(dá)50%。更值得關(guān)注的是，這種產(chǎn)能提升不會導(dǎo)致單片晶圓制造成本增加，這意味著芯片制造商無需擴(kuò)建潔凈室或采購新設(shè)備，僅通過現(xiàn)有設(shè)備的升級即可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能擴(kuò)張。

盡管技術(shù)突破已獲驗(yàn)證，但具體商業(yè)化時間表尚未明確。行業(yè)分析人士指出，ASML可能通過推出升級套件的方式向客戶提供光源功率提升服務(wù)，不過并非所有型號的EUV光刻機(jī)都具備升級條件，具體適配機(jī)型范圍需等待進(jìn)一步技術(shù)披露。這種漸進(jìn)式升級策略既保護(hù)了客戶既有投資，又為技術(shù)迭代預(yù)留了空間。

在1000瓦光源技術(shù)尚未全面落地之際，ASML的研發(fā)團(tuán)隊(duì)已將目光投向更高目標(biāo)。Purvis透露，團(tuán)隊(duì)正在探索將光源功率提升至1500瓦甚至2000瓦的技術(shù)路徑。隨著光源功率持續(xù)突破，EUV光刻機(jī)的產(chǎn)能上限將被不斷推高，這為應(yīng)對未來更復(fù)雜的芯片制造需求提供了技術(shù)保障，特別是在3D堆疊、先進(jìn)封裝等新興領(lǐng)域，高功率光源將發(fā)揮關(guān)鍵作用。